世界半導体産業略史

1949	ベル研究所が（点接触型）トランジスターの特許を公開
1958	TI (Texas Instruments)社のジャック・キルビーが集積回路を試作。59年に特許申請（キルビー特許）
1964	TIが100％出資の製造子会社を設立する申請を通産省に。68年に50％出資で実現
1968	Intel社を設立。（integrated electronicsを短縮）
1970	IntelがDRAMを発売（世界初）。１kilobitDRAM、トランジスター数3000？
1971	Intelが4004（世界初のMPU）を発表。トランジスター2300個。
1976*	超LSI技術研究組合が発足。通産省が呼びかけ、コンピューター・メーカー5社（富士通、日立、三菱電機、日本電気、東芝）が参加。1 megabit半導体メモリのための製造技術の開発をめざす。通産省が300億円、企業が400億円出資。1980年まで。DRAM 5社体制の開始。
1977 韓	サムスン電子工業（1969設立）が韓国半導体（株）を買収し半導体事業に参入
1980.5*	ヒューレット・パッカード社が日本製LSIメモリの品質の高さを公表。ワシントンで
1980 台	UMC（聯華電子）を創設。台湾の政府機関が全額出資
1981	IBMがIBM PCを発売。10月から出荷。PCの世界標準へ。
1985*	IntelがDRAMから撤退。MPU事業に特化
1985*	日本電気が半導体の売上高で世界一。91年まで
1986*	日米半導体協定を締結。91年延長。96年まで
1985 韓	サムスン電子が64kilobitDRAMの量産を開始。トランジスター数200万？
1987 台	TSMC（台湾積体電路製造公司）を創設。受託加工生産工場（ファウンドリ）
1988	Intelがマイクロン・テクノロジー社（米国）とDRAMのOEM契約（3年間）、出資。
1988*	日本が世界の半導体生産額の50％を占める。89年も
1988*	三菱電機の西条工場が大河内記念生産賞を受賞。90年にNHK番組で紹介される
1991	DEC社（米国、コンピューター）が半導体製造部門を売却し、開発に特化
1992	Intelが世界最大の半導体メーカーに
1993	Intelが（MPUの）ペンティアムを発売。トランジスター310万個
1994*	日本の半導体5社が16megabitDRAMで世界市場の60％を占める
1996 韓	韓国の半導体メーカー3社が64megabitDRAMで世界の70％を占める
1998 韓	サムスン電子がDRAMのシェアで世界一に
1998	モトローラ（米国）がDRAM事業から撤退
1998	マイクロンがTIからDRAM事業を買収。TIはDSP事業に特化
1999 韓	ハイニックス社が成立。現代電子（韓国）がLG半導体（韓国）を吸収合併
1999*	富士通が汎用DRAMから撤退。高機能DRAMは残す
1999.12*	エルピーダメモリ（株）が発足。日本電気と日立製作所がDRAM事業を統合
2001.12*	東芝がDRAM部門をマイクロンに売却
2002.11*	NECエレクトロニクス（株）が発足。日本電気が半導体事業を分社化し、システムLSI事業の強化をめざす
2002	マイクロンがハイニックスのDRAM部門を買収し世界シェア30％めざすが挫折
2003.3*	三菱電機のDRAM事業をエルピーダが吸収
2003.4*	ルネサステクノロジー（株）が発足。日立製作所と三菱電機のフラッシュメモリ、マイコン、システムLSIの各事業を統合。
2003.7*	FASLが発足。富士通（出資率40％）とAMD（同60％）がフラッシュメモリ事業を統合
2007.10*	エルピーダメモリと台湾企業の合弁のDRAM工場が完成。01年までに1.6兆円の投資を予定。08年中にDRAM世界一を目指すと宣言。

2006年11月7日